[에너지경제신문=이종무 기자] 삼성전자가 극자외선(EUV) 공정을 적용한 1세대(1x) 10나노급(1나노=10억 분의 1m) D램을 생산하며 양산 준비를 마쳤다. D램에 EUV 공정을 적용한 것은 삼성전자가 세계 최초다. 삼성전자는 차세대 D램 제품부터 EUV 공정을 전면 적용해 "D램의 새로운 패러다임을 제시하겠다"고 공언했다.


◇ 업계 유일…연내 평택 신규라인 가동

삼성전자는 최근 EUV 공정을 적용해 생산한 1세대 10나노급 더블데이터레이트4(DDR4) D램 모듈을 글로벌 고객사에 공급, 평가를 완료했다고 25일 발표했다. 규모는 100만 개 이상이다.

삼성전자에 따르면 EUV 노광 기술을 적용할 경우 회로를 새기는 작업을 반복하는 ‘멀티 패터닝’ 공정은 줄이면서 패터닝 정확도를 높일 수 있다. 이에 따라 성능과 수율을 향상시키고 제품 개발 기간을 단축할 수 있는 장점이 있다.

삼성전자는 현재 EUV 공정으로 14나노 초반 대 ‘4세대 10나노급(1a) D램’ 양산 기술도 개발하고 있다. 4세대 10나노급 D램은 1세대 10나노급 D램보다 12인치 웨이퍼당 생산성이 2배 이상 높다. 그만큼 사업 경쟁력을 강화할 수 있게 되는 셈이다.

삼성전자는 내년에 성능과 용량을 높인 4세대 10나노급 D램을 양산하고 5세대·6세대 D램도 선행 개발해 메모리 반도체 시장에서의 기술 주도권을 강화해 나간다는 전략이다. 글로벌 정보기술(IT) 고객과 기술 협력도 강화하고 업체 간 표준화 활동을 추진해 차세대 시스템에서 신제품 탑재 비중을 지속적으로 높여나간다는 계획이다.

특히 올 하반기 경기 평택사업장의 신규 라인을 가동해 증가하는 차세대 D램 수요에 안정적으로 대응할 수 있는 양산 체제를 구축한다는 방침이다. 이정배 삼성전자 메모리사업부 D램개발실 부사장은 "업계 최초로 EUV 공정을 D램 양산에 적용해 글로벌 고객들에 더욱 차별화된 솔루션을 제공할 수 있게 됐다"며 "앞으로도 차세대 제품을 선행 개발해 글로벌 IT 시장이 지속 성장하는 데 기여할 것"이라고 말했다.

글로벌 D램 시장 점유율 (단위: %)
기업명(국가)	점유율
삼성전자	43.5
SK하이닉스	29.2
마이크론(미국)	22.3
난야(대만)	2.8
윈본드(대만)	0.9
파워칩(대만)	0.4
2019년 4분기 매출 기준.  자료=D램 익스체인지

◇ 예고된 초격차…"이제부터가 실력"

삼성전자의 이러한 초격차 행보는 일찌감치 예고된 바 있다. 지난해 1월 문재인 대통령과 청와대 회동에서 이재용 삼성전자 부회장은 반도체 경기가 안 좋은데 요즘 어떤지 묻는 문 대통령 질문에 "좋지는 않지만 이제부터 진짜 실력이 나올 것"이라고 답하기도 했다. 같은 해 6월에는 화성사업장을 찾아 전자 관계사 사장들을 불러 모은 자리에서 "단기적 성과에 일희일비 하지 말고 기술 경쟁력을 확보하라"고 주문하며 초격차를 거듭 강조했다.

     

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