삼성전자, 메모리 초격차 지속…평택 낸드 생산라인 구축

지난달 클린룸 착공…내년 하반기 양산 목표

▲삼성전자 평택사업장 2라인 전경.

[에너지경제신문=이종무 기자] 삼성전자가 대내외 불확실성이 가중되는 상황에서도 메모리 반도체 분야에서 ‘초격차’를 이어간다. 경기 평택사업장 2라인에 낸드플래시 생산라인을 구축한다.

삼성전자는 지난달 평택 2라인에 낸드 생산을 위한 클린룸 공사에 착수했다고 1일 발표했다. 인공지능(AI)과 사물인터넷(IoT), 5세대(5G) 이동통신 서비스 보급 확대에 따른 중장기 낸드 수요 증가에 대응하기 위한 취지다.

특히 최근 비대면(언택트) 생활 방식의 확산으로 낸드 수요 증가세가 더욱 가속화될 것으로 예상되면서 삼성전자는 적극적인 투자로 미래 시장 기회를 선점해나간다는 전략이다.

2015년 조성된 평택사업장은 삼성전자의 차세대 메모리 전초 기지다. 세계 최대 규모의 생산라인 2개를 갖추고 있다. 삼성전자는 이번 투자로 증설된 라인에서 최첨단 V낸드 제품을 양산한다는 계획이다. 양산 시점은 내년 하반기부터다.

삼성전자는 국내에서는 경기 평택과 화성, 해외에선 중국 시안에서 낸드 생산라인을 운영중이다. 삼성전자는 국내외 균형있는 투자로 안정적인 글로벌 공급망을 유지하고 시장 주도권을 강화해나간다는 복안이다.

최철 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅실 부사장은 "이번 투자는 불확실한 환경 속에서도 메모리 ‘초격차’를 더욱 확대하기 위한 노력"이라며 "고객 수요에 차질없이 대응함으로써 국가 경제와 글로벌 정보기술(IT) 산업 성장에 기여할 것"이라고 말했다.

한편 삼성전자는 2002년 글로벌 낸드 시장 1위에 올라 현재까지 18년 이상 시장 리더의 자리를 지키고 있다. 지난해 7월에는 업계 최초로 6세대(1xx단) V낸드 제품을 양산한 바 있다.