에너지경제

HBM2E, 개발 이후 10개월만에 양산 성공
기존 D램보다 처리 속도 50% ↑


SK하이닉스

SK하이닉스가 본격 양산하는 ‘HBM2E’ D램.


[에너지경제신문=이종무 기자] SK하이닉스가 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 업계 최고속 D램 ‘HBM2E’ 양산에 본격 돌입한다. ‘HBM2E’이 지난해 8월 개발에 성공한 지 10개월만이다. HBM2E D램은 기존 고대역폭 메모리(HBM) 규격인 ‘HBM2’ D램보다 처리 속도를 50% 이상 높인 차세대 제품이다.

SK하이닉스에 따르면 HBM2E는 초당 3.6Gbps의 데이터 처리가 가능해 GB로 환산하면 460GB의 데이터를 1초에 처리할 수 있다. 이는 풀HD(FHD)급 영화(3.7GB) 124편을 1초만에 전달할 수 있는 수준이다. 기존 제품의 데이터 처리 속도는 초당 307GB 수준이었다.

HBM2E D램은 실리콘 관통 전극(TSV) 기술을 활용해 기존 D램보다 용량을 늘리면서 전력 소모는 크게 줄인 고성능 제품이다. TSV는 D램 칩에 미세한 구멍 수천 개를 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 연결해 전극으로 상호 연결하는 기술이다. 일반적으로 기존 방식보다 크기를 30% 이상, 전력 소모는 50% 이상 줄어드는 효과가 발생한다.

HBM2E D램은 이 기술로 단일 제품 기준 용량이 16Gb인 칩 8개를 수직 연결해 이전 제품보다 2배 이상 늘어난 16GB를 구현했다.

HBM2E D램은 이처럼 초고속 고용량 데이터 처리에 적합해 고도의 연산력이 필한 딥러닝 가속기(DLA), 고성능 컴퓨팅(HPC), 인공지능(AI) 등 4차 산업에 기반한 차세대 시스템에서 활용도가 늘어날 것으로 전망된다. 기상 변화, 생물 의학, 우주 탐사 등 차세대 기초과학과 응용과학 연구에 활용되는 슈퍼컴퓨터에 채용도 주목된다.

오종훈 SK하이닉스 GSM담당 부사장은 "SK하이닉스는 세계 최초로 HBM 제품을 개발하는 등 인류 문명에 기여하는 기술 혁신에 앞장서왔다"며 "이번 HBM2E 본격 양산을 계기로 4차 산업혁명을 선도하고 프리미엄 메모리 시장에서 입지를 강화할 수 있는 기회로 삼을 것"이라고 말했다.
     
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