한양대 H3연구센터, 과기부 혁신사업자 최종 선정

올해부터 10년간 年50억씩 연구비 지원받아
반도체 연구거점·산학연협력체제 구축 수행
안진호 센터장 "반도체 성능 1천배 개선 목표"

▲한양대 H3 한계극복 반도체기술연구센터 안진호 센터장(신소재공학부 교수).

[에너지경제신문 김철훈 기자] 한양대학교 H3(극한 스케일-극한 물성-이종 집적) 한계극복 반도체기술연구센터(H3 연구센터)가 과학기술정보통신부 지원 선도연구센터지원사업 혁신연구센터(IRC) 사업에 최종 선정됐다.

IRC 사업 선정으로 한양대는 올해부터 10년간 연 50억원씩 지원받아 연구를 수행할 예정이다.

25일 한양대에 따르면, 선도연구센터지원사업은 기초연구를 대표하는 집단연구사업으로, 지난 1990년부터 이학분야(SRC), 공학분야(ERC) 지원을 시작으로 현재까지 33년간 총 434개 센터에 2조 9148억원 지원됐다.

한양대가 최종선정된 혁신연구센터(IRC) 사업은 12대 국가의 전략기술 분야와 관련해 대학의 특성화 분야 연구역량과 인적자원을 지속 가능한 연구기관 체계로 집적해 ‘세계적 수준의 연구 거점’ 구축을 목적으로 올해 처음 도입됐다.

이번 혁신연구센터사업 선정에는 21개 센터가 본평가에 올랐고, 한양대학교 H3 연구센터를 포함한 3개 센터만이 최종 선정됐다. KAIST, 포항공과대학교, 연세대학교, 고려대학교와 컨소시엄을 이룬 H3 연구센터는 12대 국가전략기술 분야 중 반도체·디스플레이 부문에 선정돼 전략기술 분야 임무 중심 R&D를 통해 단계별로 혁신적인 연구성과를 창출할 예정이다.

정부 예산 이외에도 대학 약 160억원, 협력기업 100억원 이상의 재원이 투입된다.

한양대는 12대 국가전략기술 분야의 임무 중심 R&D 역량 강화 및 인재 양성을 위한 대학의 역할을 강화하고, 100개 이상의 회원사와 동반 성장해 지속 가능하고 세계 수준의 ‘반도체 연구거점 및 산학연 협력체계’를 구축할 예정이다.

또한, H3 연구센터는 반도체 초미세공정의 핵심인 EUV 노광기술과 원자층 공정, 고성능 소자구조의 핵심 IP 및 이종집적 통합설계, 첨단 패키징 핵심기술을 유기적으로 개발함으로써 저전력·고성능 인공지능 반도체의 국가 경쟁력을 확보하는 데 기여할 것으로 기대된다.

연구센터장 안진호 교수(신소재공학부)는 "이번 사업 선정으로 한양대가 대한민국 반도체 초격차 기술 확보에 크게 기여할 것"이라며 "10년 내 반도체 성능 1000배 개선을 목표로 연구하겠다"고 포부를 밝혔다