'LPDDR5T’ 개발해 시제품 전달...속도 13% 향상·저전력 구현
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▲SK하이닉스가 최고속 모바일용 D램 ‘LPDDR5T’를 개발해 고객사에 시제품을 제공했다고 25일 밝혔다. |
LPDDR5T는 SK하이닉스가 지난해 11월 공개한 모바일 D램 ‘LPDDR5X’ 성능을 개선한 제품이다. ‘저전력(Low Power)’ 특성을 지닌 모바일용 D램 제품 규격 LPDDR 기반에 SK하이닉스가 7세대인 LPDDR5X를 개량해 최초 개발했다.
신제품은 동작속도가 LPDDR5X 대비 13% 빨라진 초당 9.6기가비트(Gbps)까지 빠르다. SK하이닉스는 제품 이름에 ‘터보(Turbo)’를 붙여 빠른 속도를 강조했다. 또 국제반도체표준화기구(JEDEC)가 정한 최저 전압 기준인 1.01∼1.12볼트(V)에서 작동한다. 속도는 물론 초저전력 특성도 동시에 구현해낸 제품이라고 SK하이닉스는 설명한다.
신제품에는 최신 트랜지스터 기술인 ‘하이 K 메탈 게이트(HKMG)’가 적용됐다. LPDDR5X에 이어 두 번째다. 유전율이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부 절연막에 사용해 누설 전류를 막고 정전용량을 개선한 차세대 공정이다. 속도를 빠르게 하면서도 소모 전력을 줄일 수 있다. SK하이닉스는 지난해 11월 HKMG 공정을 모바일 D램에는 세계 최초로 도입했다. 회사는 "HKMG 공정 기술력을 통해 신제품이 최고 성능을 갖추게 됐다"며 "다음 세대인 LPDDR6가 나오기 전까지는 기술력 격차를 획기적으로 벌린 LPDDR5T가 시장을 주도해 갈 것"이라고 자신했다.
SK하이닉스 관계자는 "초당 8.5Gb 속도를 가진 LPDDR5X를 내놓은 지 불과 두 달 만에 기술 한계를 다시 한번 돌파했다"며 "앞으로 이번 신제품을 기반으로 고객이 필요로 하는 다양한 용량을 지닌 제품을 공급해 모바일용 D램 시장에서 주도권을 더욱 견고히 할 것"이라고 밝혔다.
최근 SK하이닉스는 LPDDR5T 단품 칩을 결합해 16기가바이트(GB) 용량을 갖춘 패키지 제품으로 만들어 시제품을 고객에게 제공했다. 패키지 제품 데이터 처리 속도는 초당 77기가바이트(GB)로 이는 풀HD(FHD)급 영화 15편을 1초에 처리하는 수준이다.
SK하이닉스는 10나노급 4세대(1a) 미세공정 기반으로 올 하반기부터 양산에 들어갈 계획이다.
정보기술(IT) 업계는 앞으로 5세대(5G) 스마트폰 시장이 확대되면 속도, 용량, 저전력 등 모든 성능이 고도화된 메모리 수요가 늘어날 것으로 보고 있다. SK하이닉스는 LPDDR5T 활용 범위가 스마트폰뿐 아니라 인공지능(AI)과 머신러닝, 증강·가상현실(AR·VR)까지 확대될 것으로 기대한다.
류성수 SK하이닉스 D램상품기획담당 부사장은 "신제품 개발을 통해 초고속을 요구하는 고객 니즈를 충족시키게 됐다"며 "앞으로도 차세대 반도체 시장을 선도할 초격차 기술 개발에 힘써 IT 세상에서 게임 체인저가 될 것"이라고 말했다.
jinsol@ekn.kr
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