삼성전자, 3분기 반도체 적자 감소…고부가 메모리로 반등 기대

삼성전자 반도체부문 적자폭 1조원 가량 감소



4분기 재고 수준 더욱 감소 예상



고부가 메모리 HBM 생산 능력 2.5배 이상 늘릴 계획



적자 불구 올해 연간 최대 시설 투자 집행

▲삼성전자 서초사옥.

[에너지경제신문 여이레 기자] 삼성전자가 3분기 매출 67조4047억원 영업이익 2조4336억원을 기록하며 올해 첫 조 단위 영업이익을 올렸다. 반도체 부문(DS)은 영업손실을 이어갔지만 전분기 대비 적자 폭은 줄었다. 삼성전자는 고부가 메모리 반도체를 통해 반등을 준비한다는 전략이다.

31일 삼성전자에 따르면 3분기 반도체 감산 효과 등이 맞물리며 영업이익이 큰 회복세를 나타냈다. 반도체 부문은 매출 16조4400억원, 영업손실 3조7500억원으로 집계됐으나 올해 1분기와 2분기에 각각 4조원 중반대 영업손실을 기록한 것과 비교하면 적자 폭이 1조원가량 줄었다.

△고대역폭메모리(HBM) △이중데이터전송5(DDR5) △저전력DDR5x(LPDDR5x) 등 고부가 제품 판매 확대와 일부 판가 상승이 전분기 대비 적자 폭 축소에 기여했다. 삼성전자는 "업황 저점에 대한 인식이 확산되며 부품 재고를 확보하기 위한 고객사의 구매 문의가 다수 접수됐다"고 기대감을 전했다.

▲삼성전자 HBM3E D램.

삼성전자는 3분기 실적 발표를 통해 고부가 메모리 시장을 향한 자신감을 나타냈다. 내년 회사 HBM 생산 능력을 현재의 2.5배 이상 늘릴 계획이다.

김재준 삼성전자 메모리사업부 부사장은 "업계 최고 수준의 공급량 유지를 위해 내년 생산 능력을 2.5배 이상 확보할 것"이라며 "주요 고객사와 내년 공급량 협의를 완료한 상태"라고 설명했다.

이어 김 부사장은 "HBM3는 내년 상반기 내 회사 전체 HBM 판매 물량의 과반을 넘어설 것으로 예상된다"면서 "HBM3E는 이미 24GB 샘플 제품을 공급했으며 36GB 초고용량 제품은 내년 1분기에 시제품을 고객사에 제공할 계획"이라고 전했다.

전세계 HBM 수요도 인공지능(AI) 시장 성장과 함께 급증하고 있다. 올해 HBM 수요는 2억9000만GB로 작년보다 60% 가까이 증가하고 내년에는 30% 더 성장할 전망이다.

삼성전자가 주력하고 있는 D램과 낸드플래시도 내년 서버 시장 반등 예상에 수요 증가세다. 서버 시장은 메모리 반도체 주요 수요처 중 하나로 서버 산업이 D램과 낸드 시장에서 차지하는 비중은 37%, 26%에 달한다. 소비자용 제품에 비해 제품 가격도 높다. 삼성전자 D램과 낸드 평균판매가격(ASP)도 증가했다.

이어 4분기 반도체 재고는 빠르게 감소할 것으로 전망된다. 반도체 감산과 재고에 대해 김 부사장은 "감산과 수요 개선으로 반도체 재고 수준은 5월 피크아웃(정점 후 하락)을 지났다"며 "4분기엔 재고 수준이 더욱 감소할 것"이라고 전했다. 선별적인 반도체 감산도 이어갈 예정이다.

아울러 적자에도 불구하고 삼성전자는 올해 연간 최대 시설 투자 집행 예정이다. 삼성전자의 올 한해 연간 시설투자액은 약 53조7000억원으로 이 중 반도체 부문에만 47조5000억원을 투입한다.

메모리의 경우 중장기 수요 대응을 위한 평택 3기 마감, 4기 골조 투자 및 기술 리더십 강화를 위한 연구개발(R&D)용 투자 비중 확대가 예상된다. 특히 업계 최고 생산 수준의 HBM 생산능력 확보를 위한 투자 등 신기술 투자를 적극적으로 진행하고 있다.

파운드리(반도체 위탁생산)는 첨단공정 수요 대응을 위한 평택 생산능력 확대 및 미래 대응을 위한 미국 테일러 공장 인프라 투자 등으로 전년 대비 증가할 것으로 전망된다.