신규 소재 적용, EUV 공정 최적화 통해 원가 경쟁력 확보
전성비도 개선해 데이터 센터 전력 비용 최대 30% 절감
▲10나노급 6세대 1c 미세 공정을 적용한 16Gb DDR5 D램. 사진=SK하이닉스 제공
SK하이닉스는 세계 최초로 10나노급 6세대 1c 미세 공정을 적용한 16Gb DDR5 D램을 개발하는 데 성공했다고 29일 밝혔다. 이로써 회사는 10 나노대 초반의 극미세화된 메모리 공정 기술을 세상에 내놓게 됐다.
SK하이닉스는 “10나노급 D램 기술이 세대를 거듭하면서 미세 공정의 난이도가 극도로 높아졌으나, 당사는 업계 최고 성능이 입증된 5세대 기술력을 바탕으로 설계 완성도를 높여 가장 먼저 기술 한계를 돌파해냈다"며 “연내 1c DDR5의 양산 준비를 마치고 내년부터 제품을 공급해 메모리 반도체 시장의 성장을 이끌어 갈 것"이라고 강조했다.
SK하이닉스는 1b D램의 플랫폼을 확장하는 방식으로 1c를 개발했다. 이를 통해 공정 고도화 과정에서 발생할 수 있는 시행착오를 줄이는 것은 물론, 업계 최고 성능 D램으로 인정받는 SK하이닉스 1b의 강점을 가장 효율적으로 1c로 옮겨올 수 있다고 회사의 기술진은 판단했다.
또 EUV 특정 공정에 신소재를 개발 적용하고, 전체 공정 중 EUV 적용 공정 최적화를 통해 원가 경쟁력을 확보했다. 설계 기술 혁신도 병행해 이전 세대인 1b 대비 생산성을 30% 이상 향상 시켰다.
고성능 데이터 센터에 주로 활용될 1c DDR5의 동작속도는 8Gbps로, 이전 세대 대비 11% 빨라졌다. 또 전력 효율은 9% 이상 개선됐다. AI 시대가 본격화되면서 데이터 센터의 전력 소비량이 늘어나는 가운데, 클라우드 서비스를 운영하는 글로벌 고객들이 SK하이닉스 1c D램을 데이터 센터에 적용하면 전력 비용을 이전보다 최대 30%까지 줄일 수 있을 것으로 회사는 기대하고 있다.
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