SK하이닉스, HBM3E 12단 36GB 세계 최초 양산

에너지경제신문 입력 2024.09.26 14:34

“AI 메모리 시장 내 독보적인 지위 유지”

SK하이닉스가 양산에 돌입한 12단 적층 HBM3E 36GB 제품. 사진=SK하이닉스 제공

▲SK하이닉스가 양산에 돌입한 12단 적층 HBM3E 36GB 제품. 사진=SK하이닉스 제공

SK하이닉스는 현존 고 대역폭 메모리(HBM) 중 최대 용량인 36GB를 구현한 HBM3E 12단 신제품을 세계 최초로 양산하기 시작했다고 26일 밝혔다.




기존 HBM3E의 최대 용량은 3GB D램 단품 칩 8개를 수직 적층한 24GB였다.


SK하이닉스 관계자는 “양산 제품을 연내 고객사에 공급할 예정"이라며 “지난 3월 HBM3E 8단 제품을 업계 최초로 고객에게 납품한지 6개월만에 또 한 번 압도적인 기술력을 증명했다"고 말했다. 이어 “높아지고 있는 AI 기업들의 눈높이에 맞춘 12단 신제품도 가장 먼저 양산에 성공해 AI 메모리 시장에서 독보적인 지위를 이어가고 있다"고 강조했다.



회사는 HBM3E 12단 제품이 AI 메모리에 필수적인 속도·용량·안정성 등 모든 부문에서 세계 최고 수준을 충족시켰다고 설명했다.


우선 이번 제품의 동작 속도를 현존 메모리 최고 속도인 9.6Gbps로 높였다는 설명이다. 이는 이번 제품 4개를 탑재한 단일 그래픽 처리 장치(GPU)로 거대 언어 모델(LLM)인 '라마 3 70B'를 구동할 경우 700억 개의 전체 파라미터를 초당 35번 읽어낼 수 있는 수준이다.




회사는 또 기존 8단 제품과 동일한 두께로 3GB D램 칩 12개를 적층해 용량을 50% 늘렸다. 이를 위해 D램 단품 칩을 기존보다 40% 얇게 만들고 TSV* 기술을 활용해 수직으로 쌓았다.


여기에 얇아진 칩을 더 높이 쌓을 때 생기는 구조적 문제도 해결했다. 회사는자사 핵심 기술인 어드밴스드 MR-MUF 공정을 이번 제품에 적용해 전 세대보다 방열 성능을 10% 높였으며, 강화된 휨 현상 제어를 통해 제품의 안정성과 신뢰성을 확보했다.





박규빈 기자 기사 더 보기

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