‘퍼포먼스 플랫폼 2.0’ 주제로 혁신·지능·집적 강조
3나노 GAA 설계 인프라 확대..패키지 기술력 지원
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▲삼성전자 ‘SAFE(Samsung Advanced Foundry Ecosystem) 포럼 2021’에서 기조연설에 나선 이상현 전무 |
[에너지경제신문 이진솔 기자] 삼성전자가 차세대 3나노미터(㎚) 공정과 첨단 패키징 기술 경쟁력을 내세워 반도체 기술력 판도를 뒤집겠다는 야심을 내비쳤다. 이를 위해 파트너사에 설계 솔루션을 제공하며 파운드리 생태계를 확대하겠다는 뜻도 밝혔다.
삼성전자는 18일 ‘SAFE(Samsung Advanced Foundry Ecosystem) 포럼 2021’을 온라인으로 열고 파트너사들과 함께 파운드리 생태계를 강화해 나가겠다고 밝혔다.
올해 3회째를 맞는 SAFE 포럼에서는 ‘퍼포먼스 플랫폼(Performance Platform) 2.0’을 주제로 최첨단 공정 기반 칩 구현에 필요한 솔루션 강화 방안을 논의했다. 또 7개 파트너사 기조연설과 76개 테크 세션을 통해 SAFE 플랫폼을 통한 성공적인 개발 협력 성과와 사례도 공유됐다.
이상현 삼성전자 파운드리사업부 디자인플랫폼 개발실 전무는 기조연설에서 "데이터 중심 시대로의 전환이 가속화되며 높아지는 고객 요구에 대응하기 위한 삼성전자 에코시스템도 함께 발전하고 있다"며 "삼성전자는 SAFE 프로그램의 강력한 지원자로서 혁신, 지능, 집적으로 개선된 퍼포먼스 플랫폼 2.0 비전 실현을 주도해 나가겠다"고 밝혔다.
삼성전자가 공개한 혁신은 신규 공정 기술과 첨단 설계 솔루션을 위한 설계 인프라를 조성하는 것을 의미한다. 회사 측은 대표적인 사례로 삼성전자와 파트너사가 함께 개발한 ‘게이트올어라운드(GAA)’ 설계 인프라를 꼽았다. 이어 지능은 반도체 설계에 인공지능(AI)을 도입해 생산성을 높이는 것이라고 설명했다. 집적은 반도체 패키징 기술인 2.5D 및 3D 설계 인프라를 개발하는 것이다. 이 전무는 "세 가지 기둥으로 설계의 처음부터 끝까지 종합 솔루션과 서비스를 제공할 계획"이라고 말했다.
특히 오는 2022년 상반기 양산을 목표로 하는 3나노 GAA 기술을 강조했다. GAA는 이전 공정 기술인 ‘핀펫’과 비교해 동일 성능 기준 20% 이상 전력 감소, 동일 전력 소비 기준 13% 향상된 성능을 낸다는 설명이다. 이 전무는 "GAA는 반도체 기술 판도를 뒤집게 할 것이며 최적화된 설계 인프라를 고객에게 제공할 것"이라고 밝혔다.
이밖에 반도체 후공정에 해당하는 2.5D 및 3D 패키지 설계 솔루션도 소개했다. 파운드리 업계는 공정 미세화에 더해 후공정에서 칩을 입체로 적층하는 패키징 분야 주도권 확보에도 몰두하고 있다. 이를 통해 소비전력을 줄이고 성능을 높이는 동시에 전공정과 후공정 경쟁력을 모두 강화해 고객관리가 효율적이기 때문이다.
삼성전자는 반도체 후공정(OSAT) 생태계 확대를 통해 2.5D와 3D 등 다양한 패키지 솔루션을 확보하며 ‘비욘드 무어(Beyond-Moore)’ 시대를 이끌어 나갈 예정이라고 밝혔다.
국내 팹리스 업체들은 삼성전자 첨단 기술 기반 SAFE 플랫폼을 활용해 신제품을 개발하는 등 국내 시스템반도체 업계 경쟁력을 강화해 가고 있다. AI 반도체 팹리스 스타트업 ‘퓨리오사AI’는 삼성전자 ‘디자인솔루션파트너(DSP)’인 세미파이브와 함께 데이터센터 및 에지 서버용 AI 반도체를 개발했다.
백준호 퓨리오사AI 대표는 "세미파이브 시스템온칩(SoC) 플랫폼을 통해 최고 성능의 AI 반도체 ‘워보이’를 설계했고 삼성전자에서 시제품을 제작, 검증해 글로벌 AI반도체 시장에 빠르게 진입할 수 있었다"며 "이번 SAFE 포럼에서도 최고 레벨의 차기 AI 반도체 구현을 위한 아이디어를 얻었다"고 말했다.
국내 팹리스인 텔레칩스 이장규 대표는 "현재 삼성전자의 8나노 공정을 적용한 제품을 설계 중"이라며 "SAFE 포럼을 통해 IP부터 패키지까지 다양한 파트너와의 폭넓은 협력을 추진하며 빠른 기간에 제품의 완성도를 높여 나가겠다"고 강조했다.
jinsol@ekn.kr
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