핀당 최대 16Gbps 속도 구현…성능·전력효율 동시 개선
▲SK하이닉스가 고객사에 공급한 'HBM4E' 12단 샘플 이미지.
SK하이닉스는 차세대 D램 신제품인 'HBM4E' 12단 샘플을 주요 고객사들에 공급했다고 18일 밝혔다.
SK하이닉스에 따르면 신제품은 핀당 최대 16Gbps의 데이터 처리 속도를 구현했다. 이전 세대인 HBM4 대비 에너지 효율도 20% 이상 개선했다.
또 최신 인터페이스와 설계 최적화로 데이터 전송 지연을 줄였다. 이를 통해 고대역폭 환경에서도 안정적인 동작을 구현한다는 게 업체 측 설명이다.
SK하이닉스는 HBM4E에 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정을 적용했다. 12단 적층 기준 48GB 용량을 구현하는 동시에 구조 안정성을 높이기 위한 작업이다. MR-MUF(Mass Reflow Molded Underfill)는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 공간 사이에 액체 형태의 보호재를 주입하고 굳히는 공정이다.
안현 SK하이닉스 개발총괄 사장은 “그동안 쌓아온 업계 최고의 기술 경쟁력과 양산 역량을 HBM4E 제품에서도 이어가 인공지능(AI) 혁신을 지속적으로 리드해 갈 수 있는 기반을 마련했다"며 “파트너들과 협력을 바탕으로 시장이 요구하는 가치를 선제적으로 구현해, 풀 스택 AI 메모리 크리에이터로서의 기술 리더십을 공고히 하겠다"고 말했다.
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